2018-02-27
9510
跟(gen)跟(gen)隨(sui)著集成(cheng)電路芯片制定中的(de)更小(xiao)的(de)端點科(ke)技(ji)的(de)品牌宣傳普及(ji)率(lv)(lv)，線寬跟(gen)跟(gen)隨(sui)著晶狀體管大(da)小(xiao)越(yue)發更薄(bo)。這令在16nm及(ji)下(xia)的(de)科(ke)技(ji)端點上(shang)，絕緣(yuan)線熱(re)敏(min)電阻功率(lv)(lv)更占(zhan)主導性社會價值(zhi)。各種加強(qiang)的(de)熱(re)敏(min)電阻功率(lv)(lv)和復合線：寬度的(de)大(da)于構(gou)建了(le)大(da)部分電移遷和IR壓降(jiang)的(de)相關(guan)大(da)問題。這兩位相關(guan)大(da)問題在節約網上(shang)裝置的(de)時(shi)間因素起強(qiang)調要反(fan)應，是每科(ke)技(ji)端點較(jiao)低的(de)網上(shang)裝置效(xiao)果不能(neng)正常工作的(de)緣(yuan)由。
在從文中(zhong)中(zhong)，他們(men)將議論電遷出和IR下跌的(de)狀況，甚至可以防止這(zhe)樣的(de)狀況在網上專用設備中(zhong)進行的(de)技藝。
省油的(de)(de)(de)suv型手機設(she)施的(de)(de)(de)枝術新(xin)趨勢和意愿標(biao)準進行如(ru)今的(de)(de)(de)融合電(dian)源電(dian)路(lu)來設(she)計。手機設(she)施開發商無法加(jia)倍地變(bian)低五金互連(lian)線的(de)(de)(de)尺寸。那么，互連(lian)線的(de)(de)(de)橫剖(pou)空間無法變(bian)大。還(huan)有，猶(you)豫功效(xiao)融合和設(she)施互連(lian)的(de)(de)(de)不息(xi)加(jia)大，集成電(dian)路(lu)芯片中會(hui)有更加(jia)多的(de)(de)(de)連(lian)線。那么，，在小于等于16nm的(de)(de)(de)組件上事(shi)情的(de)(de)(de)任意器(qi)材在幾段日子內極(ji)易遭受(shou)到(dao)功能問題的(de)(de)(de)造(zao)成 ，就是猶(you)豫沒(mei)能能夠成分配(pei)比例的(de)(de)(de)直(zhi)流電(dian)壓，造(zao)成 電(dian)挪動和IR減低的(de)(de)(de)問題。
什(shen)么東西(xi)是電(dian)變更？
電(dian)轉(zhuan)至（EM）不是種分子(zi)結構(gou)位(wei)移，是因導電(dian)微電(dian)子(zi)系(xi)統和亞鐵化(hua)合物在一次日子(zi)內的動量轉(zhuan)回而吸引的。當電(dian)壓電(dian)流密度(du)計算公式(shi)較高(gao)后(hou)會有(you)這個現(xian)象，這會產生(sheng)輕(qing)金屬亞鐵化(hua)合物向微電(dian)子(zi)系(xi)統流朝向漂移。EM大部分有(you)在現(xian)廠系(xi)統構(gou)建很(hen)多年往后(hou)。
在電(dian)滲透相互(hu)作用(yong)，合金(jin)線概率(lv)會(hui)破裂并斷路。EM會(hui)提高電(dian)纜功率(lv)電(dian)阻，這會(hui)形成電(dian)壓值降低，為了形成儀(yi)器變慢。在斷路或(huo)短路，它(ta)還概率(lv)形成電(dian)路系統無限期性出現(xian)故障。EM進帶(dai)體溫的(de)雙面饋電(dian)路開關(guan)（焦耳(er)供暖）。今天是(shi)該怎樣用(yong)布萊克式子(Black’s Equation)求合金(jin)線的(de)平(ping)均水平(ping)不可用(yong)日子（MTTF）。
電纜(lan)的(de)電變更安全可靠(kao)度：
A = 橫載戶型依懶常數
Jn = 電流大小容重(zhong)
E a = 純化能（Activation energy ）
k = 玻爾茲曼常數
T = 開(kai)爾文溫(wen)度因素
N = 數量(liang)細胞因子(一般說來選擇自然黑(hei)色裝置為2)
任何是IR Drop？
IR壓(ya)降(jiang)說的(de)(de)(de)(de)(de)是(shi)形(xing)成(cheng)(cheng)在集成(cheng)(cheng)式集成(cheng)(cheng)運放中(zhong)電(dian)(dian)源模(mo)塊(kuai)模(mo)塊(kuai)和地手機(ji)網(wang)絡(luo)數據(ju)上(shang)(shang)直流電(dian)(dian)走低(di)或身高的(de)(de)(de)(de)(de)另外一(yi)種(zhong)狀況(kuang)。伴隨半導體(ti)電(dian)(dian)子(zi)器件(jian)工藝設(she)備的(de)(de)(de)(de)(de)演變廢(fei)材料互(hu)連線的(de)(de)(de)(de)(de)尺寸越發越窄，產(chan)生(sheng)它的(de)(de)(de)(de)(de)熱敏功率(lv)電(dian)(dian)阻(zu)值(zhi)逐漸，因為在這個(ge)電(dian)(dian)子(zi)器件(jian)比(bi)率(lv)內將存有(you)(you)肯定的(de)(de)(de)(de)(de)的(de)(de)(de)(de)(de)IR壓(ya)降(jiang)。IR壓(ya)降(jiang)的(de)(de)(de)(de)(de)粗細(xi)直接決定于從電(dian)(dian)源模(mo)塊(kuai)模(mo)塊(kuai)PAD到(dao)所(suo)計算的(de)(de)(de)(de)(de)的(de)(de)(de)(de)(de)原(yuan)理門(men)單(dan)位(wei)左右(you)的(de)(de)(de)(de)(de)等效熱敏功率(lv)電(dian)(dian)阻(zu)的(de)(de)(de)(de)(de)粗細(xi)SoC構思(si)中(zhong)的(de)(de)(de)(de)(de)每種(zhong)個(ge)原(yuan)理門(men)單(dan)位(wei)的(de)(de)(de)(de)(de)直流電(dian)(dian)都有(you)(you)對構思(si)中(zhong)的(de)(de)(de)(de)(de)四種(zhong)原(yuan)理門(men)單(dan)位(wei)形(xing)成(cheng)(cheng)多種(zhong)層次(ci)上(shang)(shang)的(de)(de)(de)(de)(de)IR壓(ya)降(jiang)。這樣接到(dao)廢(fei)材料連線上(shang)(shang)代理的(de)(de)(de)(de)(de)原(yuan)理門(men)單(dan)位(wei)并且有(you)(you)翻折的(de)(de)(de)(de)(de)動作，這么之(zhi)所(suo)以(yi)而產(chan)生(sheng)的(de)(de)(de)(de)(de)IR壓(ya)降(jiang)能夠(gou)巨大。殊(shu)不知，構思(si)中(zhong)的(de)(de)(de)(de)(de)一(yi)些環節的(de)(de)(de)(de)(de)并且翻折也是(shi)比(bi)較主(zhu)要的(de)(de)(de)(de)(de)，比(bi)如數字時鐘手機(ji)網(wang)絡(luo)數據(ju)和它所(suo)驅使的(de)(de)(de)(de)(de)寄存器，在是(shi)一(yi)種(zhong)數據(ju)同步構思(si)中(zhong)想(xiang)一(yi)想(xiang)可(ke)以(yi)并且翻折。之(zhi)所(suo)以(yi)，肯定的(de)(de)(de)(de)(de)層次(ci)上(shang)(shang)的(de)(de)(de)(de)(de)IR壓(ya)降(jiang)是(shi)不會可(ke)不要的(de)(de)(de)(de)(de)。IR壓(ya)降(jiang)有(you)(you)靜態(tai)數據(ju)壓(ya)降(jiang)和的(de)(de)(de)(de)(de)動態(tai)壓(ya)降(jiang)四種(zhong)類行。
靜態式的IR壓降：
空(kong)態IR壓降是設汁的大概(gai)壓降。它決(jue)定(ding)(ding)于將(jiang)24v主(zhu)機電(dian)(dian)源(yuan)相連到合適標準標段的24v主(zhu)機電(dian)(dian)源(yuan)網格的RC。大概(gai)直流電(dian)(dian)是決(jue)定(ding)(ding)于時長(chang)段。柵極溝道漏直流電(dian)(dian)是空(kong)態IR壓降的主(zhu)耍主(zhu)觀原(yuan)因(yin)。
Vstatic_drop = Iavg x Rwire
gif動態IR壓降：
日常(chang)(chang)動(dong)(dong)態圖(tu)數(shu)(shu)值(zhi)IR壓(ya)(ya)(ya)降(jiang)(jiang)(jiang)是(shi)(shi)(shi)仍然單(dan)晶(jing)體(ti)管的(de)(de)(de)高頻率旋(xuan)轉(zhuan)打開通斷而(er)引(yin)發的(de)(de)(de)直流電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)量電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)壓(ya)(ya)(ya)越來越低。當仍然集成(cheng)(cheng)線路芯片的(de)(de)(de)旋(xuan)轉(zhuan)打開活動(dong)(dong)內容而(er)對(dui)來自五湖(hu)四海交流電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)源的(de)(de)(de)直流電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)量的(de)(de)(de)供給添加時(shi)，會(hui)造(zao)成(cheng)(cheng)各(ge)種原(yuan)因(yin)。日常(chang)(chang)動(dong)(dong)態圖(tu)數(shu)(shu)值(zhi)IR壓(ya)(ya)(ya)降(jiang)(jiang)(jiang)信任于邏輯推理的(de)(de)(de)變換(huan)時(shi)候，對(dui)鐘(zhong)表準(zhun)(zhun)確時(shi)刻間(jian)隔(ge)的(de)(de)(de)信任性較(jiao)小。日常(chang)(chang)動(dong)(dong)態圖(tu)數(shu)(shu)值(zhi)IR壓(ya)(ya)(ya)降(jiang)(jiang)(jiang)是(shi)(shi)(shi)對(dui)非常(chang)(chang)多(duo)的(de)(de)(de)線路旋(xuan)轉(zhuan)打開與此同(tong)時(shi)出現的(de)(de)(de)IR壓(ya)(ya)(ya)降(jiang)(jiang)(jiang)引(yin)發的(de)(de)(de)峰峰值(zhi)直流電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)量供給完成(cheng)(cheng)考核(he)。當今的(de)(de)(de)供給應該(gai)是(shi)(shi)(shi)間(jian)距地方(fang)化的(de)(de)(de)，同(tong)時(shi)應該(gai)在一(yi)個鐘(zhong)表準(zhun)(zhun)確時(shi)刻間(jian)隔(ge)(上(shang)百ps)內很短(duan)，同(tong)時(shi)應該(gai)引(yin)發IR壓(ya)(ya)(ya)降(jiang)(jiang)(jiang)，因(yin)而(er)引(yin)發附加的(de)(de)(de)設立和始終維持(chi)時(shi)候無非能(neng)(neng)夠具備。一(yi)般說來，鐘(zhong)表網上(shang)上(shang)的(de)(de)(de)高IR壓(ya)(ya)(ya)降(jiang)(jiang)(jiang)會(hui)引(yin)發鐘(zhong)表始終維持(chi)時(shi)候不怎(zen)(zen)么，而(er)數(shu)(shu)值(zhi)路線電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)磁波網上(shang)上(shang)的(de)(de)(de)IR 壓(ya)(ya)(ya)降(jiang)(jiang)(jiang)會(hui)引(yin)發設為時(shi)候不怎(zen)(zen)么。在各(ge)種原(yuan)因(yin)下，您能(neng)(neng)夠將規(gui)格(ge)象限轉(zhuan)移(yi)起來，如(ru)此就(jiu)能(neng)(neng)夠緩(huan)解為能(neng)(neng)夠具備成(cheng)(cheng)千上(shang)萬規(gui)格(ge)象限而(er)出現的(de)(de)(de)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)動(dong)(dong)機(ji)扭矩。
Vdynamic_drop = L（di / dt）
同一個事件：
· 16nm FF + ASIC 中的 EM violations
小(xiao)(xiao)編(bian)在警報/數字(zi)時鐘網(wang)站上關(guan)察到1155次電遷出(chu)違反紀律。小(xiao)(xiao)編(bian)的(de)(de)max_cap為(wei)(wei)371fF短路電流(liu)值，平均水平凈(jing)大(da)小(xiao)(xiao)為(wei)(wei)~640um。電感短路電流(liu)值特征(zheng)提(ti)取的(de)(de)標準(zhun)象限冷庫中的(de)(de)快捷(jie)設(she)置(zhi)值。這隨著網(wang)站能(neng)大(da)多電流(liu)值。
APSDRC_net_210033的總電解電容：0.34327 APSDRC_net_210033的總長短：1345.995
· 16nm FF + 的IR壓降(jiang)
各(ge)位知道(dao)掛(gua)鐘單位邊上(shang)的(de)IR壓降，這(zhe)是因為這(zhe)么多(duo)總會以50％的(de)占空比確定調節。各(ge)位仔細觀(guan)察到(dao)在掛(gua)鐘單位左右有著準則(ze)單位，整塊空間(jian)能(neng)夠 該單位顯得比較密集度。由于，這(zhe)么多(duo)空間(jian)邊上(shang)產(chan)生了IR壓降。
除非石英(ying)鐘，人們(men)就要(yao)點(dian)耗電池(chi)壽命量(liang)大、相對密度(du)高的單元測(ce)試上發現了(le)(le)了(le)(le)IR壓降點(dian)。
避免(mian) 電遷徙和IR壓(ya)降的技(ji)能(neng)
電變遷可(ke)以緩解
1. 對EM違反(fan)紀律線上應用NDR（非正常(chang)標準）
榮獲EM最終后(hou)，您需(xu)要(yao)讀(du)取(qu)凈形壯并在應用(yong)NDR全新路由(you)等等網上。appNDR涉(she)及到(dao)在應用(yong)包括更重行間距的雙寬(kuan)或三寬(kuan)金屬來配(pei)線鐘表網上。這將高效避免絕(jue)大部(bu)分數EM無(wu)(wu)證(zheng)活動，以及需(xu)要(yao)預測(ce)網上，等等網上更將會應用(yong)場(chang)景這兩個參數值通過EM無(wu)(wu)證(zheng)：
1）控制程(cheng)度
2）短路電流(liu)。
就能(neng)夠 過濾系統掉更大負荷和(he)高能(neng)夠的(de)wifi網絡，并(bing)將鳥卵移動式(shi)到NDR。就能(neng)夠 依(yi)照工程(cheng)調查統篩選據(ju)判(pan)斷不一能(neng)夠標準的(de)域值負荷。
范例：我們(men)的(de)(de)找到之(zhi)中的(de)(de)模快突然出現了龐(pang)大的(de)(de)改進什么
Command: create_routing_rule em_ndr -widths“M2 0.064 M3 0.064 M4 0.064”-cuts {{VIA1 {Vrh 1} {Vrv
1}} {VIA2 {Vrh 1} {Vrv 1}} {VIA3 {Vrh 1} {Vrv 1}} {VIA4 {Vr 1}}}
foreach net [gon [get_nets $ nets]] {set_routing_rule $ net -rule em_ndr}
等設有以前(qian)，有309次違法違紀，在用途NDR后縮減(jian)為1次。
2. 要求(qiu)網格的環境(jing)下要求(qiu)
受到減(jian)少或縮減(jian)裝載也可以有(you)助(zhu)于嚴防電滲透的(de)再次發生(sheng)。在底(di)下的(de)舉例(li)說明(ming)中(zhong)，他們公司看過(guo)142fF是(shi)(shi)制定中(zhong)的(de)平衡(heng)濾波電容。會根(gen)據(ju)一點科學實驗的(de)匯(hui)總(zong)數劇，他們公司受到減(jian)少所有(you)的(de)系統的(de)很大(da)裝載為60fF。沒想到，他們公司看過(guo)信號燈EM和平衡(heng)凈大(da)小(xiao)都是(shi)(shi)有(you)很好的(de)的(de)增(zeng)強。
Command：set_max_capacitance 0.06 [current_design] #setting max_cap_value用(yong)以來設計
減(jian)輕癥狀 IR 壓降
1. Padding clock cells
當(dang)牽扯到IR石英(ying)(ying)鐘的(de)問題(ti)時，是(shi)由(you)于(yu)高石英(ying)(ying)鐘添(tian)加，石英(ying)(ying)鐘結構類型是(shi)集成電路芯片工作頻率的(de)最主要的(de)原因。只不過，巧用(yong) Padding clock cells 高技術，石英(ying)(ying)鐘緩解器(qi)/反相器(qi)和石英(ying)(ying)鐘門單(dan)元(yuan)(yuan)被擁有(you)特別的(de)地方做(zuo)禁用(yong)步(bu)線區(qu)，以防范出現標準規范單(dan)元(yuan)(yuan)的(de)儲放(fang)和這(zhe)些旁有(you)什(shen)么(me)否則的(de)單(dan)元(yuan)(yuan)密度計算公式。這(zhe)有(you)助防范日常動態IR壓降。
Command: create_keepout_margin -outer {3.6 0.576 3.6 0.576} $clock_type_keepout IMAGE: A cell with cell padding
2. Cell Padding/Decap insertion around cells within a dynamic IR hotspot region
幾個驅動(dong)程序抗(kang)拉(la)強(qiang)度高的(de)單(dan)園(yuan)會制造動(dong)態信息(xi)IR壓降間題。會為這(zhe)類單(dan)園(yuan)展示 單(dan)園(yuan)襯(chen)墊，也許(xu)在(zai)其較近或IR壓降部分(fen)插進decap單(dan)園(yuan)格，謹(jin)防止IR 壓降間題。
